晶圓表面的清洗生產工藝上_等離子表面處理機有怎樣的應用

• 分類：技術支持
• 作者：等離子清洗機-CRF plasma等離子設備-等離子表面處理機廠家-誠峰智造
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• 發布時間：2021-07-14
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【概要描述】? ? ? ?晶圓表面的清洗生產工藝上,等離子表面處理機有著怎樣的的應用呢？小編今日就來普及一下這方面的知識。 ? ? ? ?伴隨著半導體技術的不斷發展，對工藝技術的要求也越來越高，尤其是對半導體晶圓表面質量的要求越來越高，其主要原因是芯片表面層的顆粒和金屬雜質的臟污會嚴重影響芯片的質量和成品率，在目前的電子器件制造中，鑒于晶圓表面層臟污難題，已經超過50%的原料被遺失。 ? ? ? ?在半導體設備的生產過程中，幾乎每道工序都要進行清潔，晶片的清潔質量嚴重影響設備的性能?？紤]到晶圓清潔是半導體制造過程中重要且頻率很高的過程，其工藝質量直接影響設備的產量、性能和可靠性，國內外各大公司和科研機構對清潔過程進行了大量的研究。等離子表面處理機是一種先進的干式清潔技術，具有綠色環保等特點，隨著微電子工業的迅速發展，等離子表面處理機在半導體工業中的應用越來越廣泛。 ? ? ? ? 半導體制造過程需要有(機)和無機物參與完成，另外，鑒于人工參與在凈化室內完成了工藝過程，因此半導體晶圓不可避免地受到各種雜質的污物。按污染源的來源、性質等，大致可分為四類：顆粒、有(機)物、金屬離子和氧化物。 1)顆粒主要是聚合物、光刻膠和腐蝕雜質。這種污染源通常情況下主要依賴范德瓦爾斯引力吸附在片狀表面層，從而影響到器件光刻過程中的幾何形狀和電參數。這類污染源的去除主要是根據物理化學的方法對顆粒進行底切，逐漸減少其與晶圓表面層的接觸面積，以便實現去除； 2)有(機)物雜質的來源比較廣泛，如人體皮膚油脂、機械油、真空脂、光刻膠、清潔劑等。這種污物化學物質通常情況下會在晶圓表層產生有(機)膜，導致清洗劑沒法抵達晶圓表面層，導致清洗后的金屬雜質等污染源仍然保留在晶圓表面層中。這種污染源的去除通常情況下在清潔過程的開始步驟進行，主要是用硫酸和過氧化氫； 3)鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦、鈉、鉀、鋰等半導體工藝中常見的金屬雜質，其來源主要有：各種器皿、管道、化學試劑、半導體晶圓加工過程中，半導體晶圓的加工過程中，在產生金屬互連的同時，也產生各種金屬污物。這種雜質的去除通常情況下采用化學方法，由各種試劑和化學藥品配制的清洗液與金屬離子反應，產生金屬離子的絡合物，從片面分離出來； 4)暴露于氧和水環境中的半導體晶圓表面層，會產生一層天然氧化層。這種氧化膜不僅阻礙了半導體制造的許多步驟，而且還含有某些金屬雜質，在一定條件下，這種雜質會轉移到晶圓上產生電缺陷。這種氧化膜的去除通常情況下是用稀氫氟酸浸泡來完成的。 ? ? ? ?將等離子表面處理機應用于半導體晶圓清潔工藝中，具有工藝簡單、操作方便、無廢料處理及環境污染等優點。然而，它并不能去除碳和其它不揮發的金屬或金屬氧化物雜質。等離子表面處理機常用于光刻膠的去除，在等離子表面處理機反應系統中注入少量氧氣，在強電場的作用下，使氧氣產生電漿，迅速將電漿氧化成揮發性氣體狀態化學物質。此種清潔工藝具有操作方便、效率高、表面層清潔、不產生劃傷、保證產品質量等優點，而且不需酸、堿、有機溶劑等，越來越受到人們的重視。